優(yōu)尼康將參加2024化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)
2024年化合物半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)將于10月30-31日在常州舉辦。由寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心主辦，邀請(qǐng)學(xué)界學(xué)科帶頭人、產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、技術(shù)研發(fā)管理人員開展深度交流與合作，預(yù)計(jì)參會(huì)規(guī)模達(dá)到400-500人，勠力實(shí)現(xiàn)材料和器件關(guān)鍵技術(shù)的持續(xù)突破、推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代應(yīng)用發(fā)展，共同打造自主可控的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
優(yōu)尼康將贊助并參與本次會(huì)議，期待與您現(xiàn)場(chǎng)探討關(guān)于優(yōu)尼康設(shè)備在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，助力行業(yè)發(fā)展。
本次會(huì)議為付費(fèi)會(huì)議
需了解詳情可掃碼聯(lián)系主辦方
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會(huì)議時(shí)間：
2024年10月30日 - 31日
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展會(huì)地點(diǎn)：
江蘇·常州新城希爾頓酒店
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展位布局：
優(yōu)尼康展臺(tái) C06
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參展設(shè)備：
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F50 膜厚測(cè)量?jī)x | ||
F50可以非常簡(jiǎn)單地獲得最大直徑450毫米的樣品薄膜厚度分布圖。采用r-θ 極坐標(biāo)移動(dòng)平臺(tái)，可以快速定位所需的測(cè)試點(diǎn)并且實(shí)時(shí)獲得測(cè)試厚度，大約每秒測(cè)試兩點(diǎn)。 | ||
相關(guān)應(yīng)用：半導(dǎo)體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導(dǎo)電膜）；光學(xué)鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機(jī)電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。 |
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Profilm3D 白光干涉光學(xué)輪廓儀 | ||
Profilm3D 使用最先進(jìn)的垂直干涉掃描 (WLI) 與高精度的相位干涉 (PSI) 技術(shù)。以強(qiáng)大的性價(jià)比實(shí)現(xiàn)次納米級(jí)的表面形貌研究。 | ||
相關(guān)應(yīng)用：粗糙度測(cè)量;三維形貌表征;臺(tái)階高度測(cè)量 |
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FS-1 多波長(zhǎng)橢偏儀 | ||
Film Sense FS-1多波長(zhǎng)橢偏儀采用壽命長(zhǎng) LED 光源和非移動(dòng)式部件橢偏探測(cè)器，可在操作簡(jiǎn)單的緊湊型橢偏儀中實(shí)現(xiàn)可靠地薄膜測(cè)量。 | ||
相關(guān)應(yīng)用：二氧化硅和氮化物，高介電和低介電材料，非晶和多晶材料，硅薄膜，光刻膠。高和低指數(shù)薄膜，如 SiO2, TiO2, Ta2O5, MgF2 。TCO（如 ITO），非晶硅薄膜，有機(jī)薄 膜（OLED 技術(shù)）等 |