電介質(zhì)

成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學(xué)，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:

二氧化硅 – 簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學(xué)計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標(biāo)準(zhǔn)。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。

氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征。

測量范例

氮化硅薄膜作為電介質(zhì)，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數(shù)。有趣的事，氮化硅薄膜的光學(xué)性質(zhì)與薄膜的分子當(dāng)量緊密相關(guān)。使用Filmetrics專有的氮化硅擴散模型，F(xiàn)20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學(xué)性質(zhì)，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當(dāng)量。

測量設(shè)定: