非晶態(tài)多晶硅硅元素以非晶和晶體兩種形式存在, 在兩級(jí)之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。非晶硅和多晶硅的光學(xué)常數(shù)(n和k)對(duì)不同沉積條件是獨(dú)特的，有精確的厚度測(cè)量。 測(cè)量厚度時(shí)還考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風(fēng)化。Filmetrics 設(shè)備提供的復(fù)雜的測(cè)量程序同時(shí)測(cè)量和輸出每個(gè)要求的硅薄膜參數(shù)， 并且“一鍵”出結(jié)果。?測(cè)量范例多晶硅被廣泛用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備
非晶態(tài)多晶硅
硅元素以非晶和晶體兩種形式存在, 在兩級(jí)之間是部分結(jié)晶硅。部分結(jié)晶硅又被叫做多晶硅。
非晶硅和多晶硅的光學(xué)常數(shù)(n和k)對(duì)不同沉積條件是需要有精確的厚度測(cè)量。 測(cè)量厚度時(shí)還考慮粗糙度和硅薄膜結(jié)晶可能的風(fēng)化。Filmetrics 設(shè)備提供的復(fù)雜的測(cè)量程序同時(shí)測(cè)量和輸出每個(gè)要求的硅薄膜參數(shù)， 并且“一鍵”出結(jié)果。
測(cè)量范例
多晶硅被廣泛用于以硅為基礎(chǔ)的電子設(shè)備中。這些設(shè)備的效率取決于薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性。隨著沉積和退火條件的改變，這些特性隨之改變，所以準(zhǔn)確地測(cè)量這些參數(shù)非常重要。監(jiān)控晶圓硅基底和多晶硅之間，加入二氧化硅層，以增加光學(xué)對(duì)比，其薄膜厚度和光學(xué)特性均可測(cè)得。F20可以很容易地測(cè)量多晶硅薄膜的厚度和光學(xué)常數(shù)，以及二氧化硅夾層厚度。Bruggeman光學(xué)模型被用來測(cè)量多晶硅薄膜光學(xué)特性。
